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简要分析P+F倍加福传感器NJ1.5-8GM-N特点

简要描述:简要分析P+F倍加福传感器NJ1.5-8GM-N特点
1.5 mm,齐平
可达 SIL 2,符合 IEC 61508 标准
NAMUR 输出
不锈钢外壳
额定工作距离sn1,5 mm
安装齐平
确保操作距离sa0 ... 1,215 mm

  • 产品型号:NBN3-F31-E8-V1
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2026-06-11
  • 访  问  量:13

详细介绍

简要分析P+F倍加福传感器NJ1.5-8GM-N特点

技术数据:

连接类型电缆

外壳材料不锈钢 1.4305 / AISI 303

感应面PBT

防护等级IP66 / IP67

电缆

导线端箍

电缆直径2,6 mm ± 0,2 mm

弯曲半径> 10 x 缆线直径

材料PVC

颜色蓝色

芯数2

线芯横截面积0,14 mm2

长度L2 m

尺寸

长度22 mm

直径8 mm

简要分析P+F倍加福传感器NJ1.5-8GM-N特点

介绍:

光传感器

光传感器利用的是半导体的光导效应或光生。光生伏应是通过光照射,将半导体PN结处产生的电压或电流作为输出加以检测。如光敏二级管,光敏三级管等。这些效应都是利用了光的量子性质。常见的应用实例,就是光控灯。

温度传感器

用于检测温度的物理效应当中,除了利用塞贝克效应的热电偶外,通常利用,W等的金属和氧气物半导体以及非氧化物半导体,有机半导体等的电阻随温度变化来作为温度传感器的。此外,还有利用PN结处电流——电压特性随温度的变化,利用居里温度附近磁特性和介电常数变化的传感器,利用介电常数和压电常数的变化,来检测其共振频率变化的温度的传感器等,如常见的空调的控温。

压力传感器

压力传感器大多利用了某种压阻效应。压阻效应是指当压力施加于电阻体上时,会使其电阻值发生变化,该现象称为压阻现象,比金属电阻的变化要明显得多,主要是因在受压后其电子或空穴的迁移率发生变化。比较常见的应用像电子称。


简要分析P+F倍加福传感器NJ1.5-8GM-N特点

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P+F|倍加福传感器

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